Samsung presenteert 3D-geheugenvisie voor AI-datacenters

Tijdens de openingskeynote lichtten topmannen Jin-Yub Lee en Kyungryun Kim toe hoe Samsung met 3D-innovaties wil voldoen aan de snelgroeiende vraag naar prestaties en energie-efficiëntie binnen High-Performance Computing (HPC) en AI-datacenters.

Nieuwe 3D-architecturen: zHBM en zNAND-O

Met het conceptmodel zHBM introduceert Samsung een architectuur waarbij HBM-geheugen niet langer naast de AI-accelerator wordt geplaatst, maar er rechtstreeks verticaal bovenop wordt gestapeld. Door de fysieke afstand tussen de processor en het geheugen te verkleinen, moet data aanzienlijk sneller worden overgedragen met een lager stroomverbruik.

Prestatie-impact: Samsung verwacht dat een interfacesysteem met zHBM tot circa acht keer de prestaties van HBM5 kan leveren.

Dichtheid en koeling: Dankzij nieuwe wafer bonding-technologie kan zHBM een tien keer hogere geheugendichtheid behalen dan HBM5, bij een verdrievoudiging van de energie-efficiëntie en een halvering van de warmteweerstand.

Maatwerk: Het concept ondersteunt klantspecifieke ontwerpen, waarbij maatwerk-IP in de tussenlaag van het geheugen en de versneller kan worden geïntegreerd.

Daarnaast introduceerde het bedrijf zNAND-O, een hoogwaardige NAND-oplossing die wordt ontwikkeld in versies met vier en acht lagen. Deze technologie is geoptimaliseerd voor edge AI-toepassingen waarbij lage latentie en snelle I/O-prestaties vereist zijn.

Primeur met V10 BV-NAND (400+ lagen)

Exact dertien jaar na de introductie van de eerste V-NAND-technologie onthulde Samsung de V10 BV-NAND (Bonding V-NAND). Door gebruik te maken van een nieuwe wafer bonding-techniek om geheugencellen te stapelen, doorbreekt het bedrijf de grens van 400 lagen. Ten opzichte van de vorige generatie (V9) levert dit een stijging van de geheugendichtheid van ongeveer 58 procent op, evenals hogere lees-, schrijf- en I/O-snelheden.

Brede AI-geheugenroutekaart en Turnkey-strategie

Naast de 3D-concepten presenteerde Samsung de voortgang op het gebied van regulier AI-geheugen en opslag voor ondernemingen:

HBM-ontwikkeling: Na de start van de massaproductie van HBM4 (gebaseerd op 1c DRAM en 4-nanometer basiselementen) in februari 2026, is Samsung in mei gestart met het leveren van HBM4E-samples aan internationale klanten. Ook werden de eerste modellen voor HBM5 getoond.

Processing-in-Memory: Met LPDDR5X-PIM toonde Samsung geheugen dat data in de geheugenchip zelf kan verwerken om het stroomverbruik bij datatransport te verminderen.

Enterprise Storage: Voor AI-datacenters introduceerde de fabrikant nieuwe opslagsystemen, waaronder de PM1763 en BM1773.

Samsung benadrukte tot slot zijn positie als geïntegreerde apparatenfabrikant (IDM) met eigen geheugen-, foundry- en advanced packaging-divisies. Met een 'one-stop turnkey'-benadering wil het bedrijf de gehele keten — van productontwerp tot massaproductie — voor klanten stroomlijnen.